大面積レーザアブレーション装置

VPLD−8000

特 長

大口径ウエハーφ12"まで対応、差動排気大型基板加熱機構の採用による均一加熱(850℃以上)及び大気圧までの基板加熱ができます。

産業技術研究所殿共同出願特許による、コンピュータ制御により膜厚制御が容易に行うことができます。

φ6以上の基板に±2.4%以内の高均一な成膜ができます。

仕 様

構成仕様
処理室 到達真空度 5×10-6Pa
水冷付基板
加熱機構
(Z付き)
加熱方式 封止型グラファイトヒータ
基板(試料)
サイズ
φ8"
最大加熱温度 850℃
ターゲット機構 ターゲット
(材料)
サイズ
150mm×30×t8以下
ターゲット数 4個
ロードロック
チャンバ
(搬送機付き)
到達真空度 5×10-5Pa
基板ホルダ数 1個