省スペース型大面積スパッタ装置

VPSD−6000

特 長

φ2"ターゲットで大口径ウエハーφ12"まで対応。

基板は赤外加熱(又はSiCヒーター加熱)と800℃以上の均一な加熱温度が得られます。

基板回転移動機構或いはターゲット移動機構によりマルチターゲット対応が可能です。

成膜方法に独自の手法を採用。φ6"以上の基板に±1.5%以内の均一な成膜ができます。

仕 様

構成仕様
処理室 到達真空度 10-6Pa台
水冷付基板
加熱機構
加熱方式 ランプorSiCヒーター
基板(試料)サイズ φ6"
最大加熱温度 800or1000℃
温度分布 800℃(±3%)
水冷付
ターゲット
機器(Z付き)
ターゲット
(材料)サイズ
φ2"×3t
ターゲット数 2個(最大4個)
ロードロック
チャンバ
(搬送機付き)
到達真空度 10-5Pa台