省スペース型大面積スパッタ装置
| ＶＰＳＤ−６０００ |  |
特 長
φ2"ターゲットで大口径ウエハーφ12"まで対応。
基板は赤外加熱(又はSiCヒーター加熱)と800℃以上の均一な加熱温度が得られます。
基板回転移動機構或いはターゲット移動機構によりマルチターゲット対応が可能です。
成膜方法に独自の手法を採用。φ6"以上の基板に±1.5％以内の均一な成膜ができます。
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仕 様
| 構成 | 仕様 | |
|---|---|---|
| 処理室 | 到達真空度 | 10-6Pa台 |
| 水冷付基板 加熱機構 |
加熱方式 | ランプorSiCヒーター |
| 基板（試料）サイズ | φ6" | |
| 最大加熱温度 | 800or1000℃ | |
| 温度分布 | 800℃(±3%) | |
| 水冷付 ターゲット 機器(Z付き） |
ターゲット （材料）サイズ |
φ2"×3t |
| ターゲット数 | 2個（最大4個) | |
| ロードロック チャンバ （搬送機付き） |
到達真空度 | 10-5Pa台 |