高速加熱処理装置

VPRT−4000

特 長

φ4”基板(最大φ8")を最大950℃まで950℃/分の昇温速度で高速加熱可能。

ロードロック室が設置可能。

高速加熱処理概念(PDF)

仕 様


構成仕様
処理室 到達真空度 1.33×10-6Pa以下
排気系 TMP200L/S RP160L/min
基板加熱機構 加熱方式 ランプ(Sicヒータ)
基板(試料)サイズ φ4"
最大加熱温度 950℃
昇温速度 950℃/min
温度分布 900℃(±3%)
導入ガス プロセスガス@ H2、N2、NH3、O2、N2/H2
プロセスガスA O2
(インラインフィルタ付き
バリアブルリークバルブ)
ロードロック
チャンバ
(搬送機付き)
到達真空度 6×10-5Pa